WEKO3
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ゲート絶縁膜中フッ素添加によるa-InGaZnO薄膜素子における高信頼性化機構の解析
https://doi.org/10.34413/dr.01348
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (6.0 MB)
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abstract (231.6 kB)
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Item type | 学位論文(博士論文) / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2016-04-27 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | ゲート絶縁膜中フッ素添加によるa-InGaZnO薄膜素子における高信頼性化機構の解析 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | ゲート ゼツエンマクチュウ フッソ テンカ ニ ヨル a-InGaZnO ハクマク ソシ ニ オケル コウシンライ セイカ キコウ ノ カイセキ | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | フッ素添加 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 高信頼性化機構 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | ゲート絶縁膜 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | a-InGaZnO | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.34413/dr.01348 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Effects of Fluorine Addition in Gate Insulator Toward Highly-reliable Amorphous InGaZnO Thin Film Devises. | |||||
著者 |
山﨑, はるか
× 山﨑, はるか |
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書誌情報 |
発行日 2016-03-24 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
学位名 | ||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関名 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 2016-03-24 | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 甲第1348号 | |||||
電子化ID | ||||||
電子化ID |