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  1. 04 物質創成科学
  2. 04 博士論文

アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける電気的欠陥が信頼性に与える影響に関する研究

https://doi.org/10.34413/dr.01558
https://doi.org/10.34413/dr.01558
89718279-d0c3-481f-9e8e-cd0ecd74463f
名前 / ファイル ライセンス アクション
R014317.pdf fulltext (6.5 MB)
R014399.pdf abstract (192.5 kB)
Item type 学位論文(博士論文) / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2018-04-18
タイトル
タイトル アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける電気的欠陥が信頼性に与える影響に関する研究
タイトル
タイトル アモルファス サンカブツ ハンドウタイ In-Ga-Zn-O ハクマク トランジスタ ニ オケル デンキテキ ケッカン ガ シンライセイ ニ アタエル エイキョウ ニ カンスル ケンキュウ
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 薄膜トランジスタ
キーワード
主題Scheme Other
主題 電気的欠陥
キーワード
主題Scheme Other
主題 ストレス信頼性
キーワード
主題Scheme Other
主題 In-Ga-Zn-O
キーワード
主題Scheme Other
主題 PITS
資源タイプ
資源タイプ doctoral thesis
ID登録
ID登録 10.34413/dr.01558
ID登録タイプ JaLC
アクセス権
アクセス権 open access
その他のタイトル
その他のタイトル Study on Electrical Defects in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Film Transistor Reliability
著者 越智, 元隆

× 越智, 元隆

WEKO 33052

ja 越智, 元隆

ja-Kana オチ, モトタカ

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書誌情報
発行日 2018-03-23
出版者
出版者 奈良先端科学技術大学院大学
出版タイプ
出版タイプ VoR
学位名
学位名 博士(工学)
学位授与機関名
学位授与機関名 奈良先端科学技術大学院大学
学位授与年月日
学位授与年月日 2018-03-23
学位授与番号
学位授与番号 甲第1558号
電子化ID
値 R014317
電子化ID
値 R014399
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Ver.1 2023-07-25 11:37:46.977093
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