WEKO3
アイテム
SiO2/GaN MOS構造の界面特性評価および高圧水蒸気処理による欠陥の低減
https://doi.org/10.34413/dr.01784
https://doi.org/10.34413/dr.01784aa6db6f0-7081-4c88-b150-734328157fdc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (3.5 MB)
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abstract (110.7 kB)
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| Item type | 学位論文（博士論文） / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2023-05-23 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiO2/GaN MOS構造の界面特性評価および高圧水蒸気処理による欠陥の低減 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiO 2 / GaN MOS コウゾウ ノ カイメン トクセイ ヒョウカ オヨビ コウアツ スイジョウキ ショリ ニヨル ケッカン ノ テイゲン | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | 高圧水蒸気処理 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | GaN | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題 | MOS | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Interface properties of SiO2/GaN metal-oxide-semiconductor structure and reduction of defects by high pressure water vapor annealing | |||||
| 著者 |
古川, 暢昭
× 古川, 暢昭 |
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| 書誌情報 |
発行日 2021-03-31 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2021-03-31 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第1784号 | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R016731 | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R016777 | |||||
