WEKO3
アイテム
窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究
https://doi.org/10.34413/dr.01349
https://doi.org/10.34413/dr.01349e8b9d224-f4d3-4d14-b648-e20936ace958
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | 学位論文(博士論文) / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-04-27 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | チッカブツ ハンドウタイ ニ オケル キンゾク ゼツエンマク ハンドウタイ コウゾウ ノ トクセイ ヒョウカ ト カイメン セイギョ ニ カンスル ケンキュウ | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 窒化物半導体 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | パワー半導体 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MIS界面 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 高圧水蒸気処理 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 原子層堆積法 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.34413/dr.01349 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Research on Characterizations and Interface Control of Metal-Insulator-Semiconductor Structure in Nitride Semiconductors | |||||
| 著者 |
吉嗣, 晃治
× 吉嗣, 晃治 |
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| 書誌情報 |
発行日 2016-03-24 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士(工学) | |||||
| 学位授与機関名 | ||||||
| 学位授与機関名 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2016-03-24 | |||||
| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 甲第1349号 | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R012396 | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R012435 | |||||