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アイテム
窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究
https://doi.org/10.34413/dr.01349
https://doi.org/10.34413/dr.01349e8b9d224-f4d3-4d14-b648-e20936ace958
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 学位論文(博士論文) / Thesis or Dissertation(1) | |||||
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公開日 | 2016-04-27 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 窒化物半導体における金属-絶縁膜-半導体構造の特性評価と界面制御に関する研究 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | チッカブツ ハンドウタイ ニ オケル キンゾク ゼツエンマク ハンドウタイ コウゾウ ノ トクセイ ヒョウカ ト カイメン セイギョ ニ カンスル ケンキュウ | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 窒化物半導体 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | パワー半導体 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | MIS界面 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 高圧水蒸気処理 | |||||
キーワード | ||||||
主題Scheme | Other | |||||
主題 | 原子層堆積法 | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ | doctoral thesis | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.34413/dr.01349 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | open access | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Research on Characterizations and Interface Control of Metal-Insulator-Semiconductor Structure in Nitride Semiconductors | |||||
著者 |
吉嗣, 晃治
× 吉嗣, 晃治 |
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書誌情報 |
発行日 2016-03-24 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
学位名 | ||||||
学位名 | 博士(工学) | |||||
学位授与機関 | ||||||
学位授与機関名 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
学位授与年月日 | ||||||
学位授与年月日 | 2016-03-24 | |||||
学位授与番号 | ||||||
学位授与番号 | 甲第1349号 | |||||
電子化ID | ||||||
R012396 | ||||||
電子化ID | ||||||
R012435 |