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同一ポリタイプ4H-AIN/4H-SiCへテロ界面の電子デバイス応用に関する研究
http://hdl.handle.net/10061/5873
http://hdl.handle.net/10061/5873c9331ebd-2a19-4788-8d4c-c2ab13add415
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (167.7 kB)
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| アイテムタイプ | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2010-10-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 同一ポリタイプ4H-AIN/4H-SiCへテロ界面の電子デバイス応用に関する研究 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ドウイツ ポリタイプ 4H-AIN | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ヘテロ接合デバイス | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | シリコンカーバイド | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 窒化アルミニウム | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 結晶成長 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| 著者 |
堀田, 昌宏
× 堀田, 昌宏 |
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| 書誌情報 |
発行日 2010 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 科研費番号 | ||||||
| 値 | 21860060 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R008020 | |||||
