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高品位成膜技術による酸化物半導体メモリデバイスの創成とその高性能化 : 平成19年度実績報告書
http://hdl.handle.net/10061/4899
http://hdl.handle.net/10061/4899e39a505e-3fe6-4a83-8384-05aeb8835b66
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (245.4 kB)
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| アイテムタイプ | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2008-11-21 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 高品位成膜技術による酸化物半導体メモリデバイスの創成とその高性能化 : 平成19年度実績報告書 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | コウヒンイ セイマク ギジュツ ニヨル サンカブツ ハンドウタイ メモリ デバイス ノ ソウセイ ト ソノ コウセイノウカ | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 酸化物半導体 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | ゾルゲル法 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 強誘電体メモリ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | チタン酸ストロンチウム | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | STO | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | PLZT | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| 著者 |
内山, 潔
× 内山, 潔 |
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| 書誌情報 |
発行日 2008 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 科研費番号 | ||||||
| 値 | 18860054 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R006527 | |||||
