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アイテム
不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の特性劣化機構の解明および強誘電体単結晶を利用した圧電素子設計と作製 : 平成17年度実績報告書
http://hdl.handle.net/10061/3454
http://hdl.handle.net/10061/34544b25cba1-ac97-479d-9f32-819e5b7a6a09
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (48.9 kB)
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| アイテムタイプ | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2006-07-31 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の特性劣化機構の解明および強誘電体単結晶を利用した圧電素子設計と作製 : 平成17年度実績報告書 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | フキハツセイ メモリヨウ キョウユウ デンタイ ハクマク ノ トクセイ レッカ キコウ ノ カイメイ オヨビ キョウユウ デンタイ タンケッショウ オ リヨウシタ アツデン ソシ セッケイ ト サクセイ | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| 著者 |
塩嵜, 忠
× 塩嵜, 忠 |
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| 書誌情報 |
発行日 2006 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 科研費番号 | ||||||
| 値 | 04F04349 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R004154 | |||||
