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  1. 04 物質創成科学
  2. 01 学術雑誌論文

Performance Improvement of Polarization Image Sensor with Multilayer On-Pixel Polarizer Structure for High-Sensitivity Millimeter-Wave Electro-Optic Imaging

http://hdl.handle.net/10061/0002001336
http://hdl.handle.net/10061/0002001336
c1ec77db-f620-41f9-8362-f262edac25ec
アイテムタイプ 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2026-02-13
タイトル
タイトル Performance Improvement of Polarization Image Sensor with Multilayer On-Pixel Polarizer Structure for High-Sensitivity Millimeter-Wave Electro-Optic Imaging
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 electro-optic imaging system
キーワード
主題Scheme Other
主題 millimeter-wave imaging
キーワード
主題Scheme Other
主題 polarization image sensor
キーワード
主題Scheme Other
主題 on-pixel polarizer
キーワード
主題Scheme Other
主題 CMOS image sensor
資源タイプ
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
著者 岡田, 竜馬

× 岡田, 竜馬

ja 岡田, 竜馬

ja-Kana オカダ, リョウマ

en Okada, Ryoma

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Mizuno, Maya

× Mizuno, Maya

en Mizuno, Maya

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竹原, 浩成

× 竹原, 浩成

ja 竹原, 浩成

ja-Kana タケハラ, ヒロナリ

en Takehara, Hironari

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Haruta, Makito

× Haruta, Makito

en Haruta, Makito

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Tashiro, Hiroyuki

× Tashiro, Hiroyuki

en Tashiro, Hiroyuki

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太田, 淳

× 太田, 淳

ja 太田, 淳

ja-Kana オオタ, ジュン

en Ohta, Jun

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笹川, 清隆

× 笹川, 清隆

ja 笹川, 清隆

ja-Kana ササガワ, キヨタカ

en Sasagawa, Kiyotaka

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 In this paper, we demonstrated a high-sensitivity polarization image sensor for millimeter-wave electric field imaging using electro-optic crystals. We developed a three-layer on-pixel polarizer structure fabricated with a 0.35-µm standard CMOS process, achieving an extinction ratio of 5.7, which corresponds to a 73% improvement over previous two-layer structure. Crosstalk reduction was implemented by applying a bias voltage to the n-well pixel separation, and extinction ratio was further improved. By using an improved sensor, it demonstrated a 7.6 dB SNR improvement in 30 GHz electric field imaging compared to previous sensors, despite 30% transmittance reduction. Angular dependence analysis confirmed adequate performance within the optical system’s constraints. These results enable high-speed and high-sensitivity millimeter-wave imaging applications.
書誌情報 en : Electronics

巻 14, 号 20, p. 1-14, ページ数 14, 発行日 2025-10-14
出版者
出版者 MDPI
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 2079-9292
出版者版DOI
関連タイプ isReplacedBy
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.3390/electronics14204026
出版者版URI
関連タイプ isReplacedBy
識別子タイプ URI
関連識別子 https://www.mdpi.com/2079-9292/14/20/4026
権利
権利情報Resource https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
権利情報 © 2025 by the authors. Licensee MDPI, Basel, Switzerland. This article is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution (CC BY) license (https://creativecommons.org/ licenses/by/4.0/).
著者版フラグ
出版タイプ NA
助成情報
助成機関名 Tateisi Science and Technology Foundation
研究課題番号 2251008
助成情報
助成機関名 Ministry of Internal Affairs and Communications (MIC)
研究課題番号 JP225007001
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Ver.1 2026-02-13 08:00:51.501335
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