WEKO3
アイテム
Intrinsic field-effect mobility in thin-film transistor with polycrystalline In2O3 channel based on transfer length method
http://hdl.handle.net/10061/0002001164
http://hdl.handle.net/10061/0002001164615e74dd-5a41-48ce-8e1d-aca0e9263b1a
| アイテムタイプ | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||
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| 公開日 | 2025-09-25 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Intrinsic field-effect mobility in thin-film transistor with polycrystalline In2O3 channel based on transfer length method | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||||||||||||
| 著者 |
高橋, 崇典
× 高橋, 崇典
× 浦岡, 行治
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| 抄録 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||||||
| 内容記述 | Field-effect mobility (μFE), calculated using transconductance in thin-film transistors (TFTs) includes error factors from determination of channel width/length and parasitic resistance (Rs/d) at source and drain regions. The apparent μFE is generally underestimated owing to the drain voltage drop due to Rs/d, which in turn, is caused by a low channel resistance (Rch) in high-mobility channels. This letter describes the extraction of intrinsic μFE (μFEi) in TFTs with polycrystalline In2O3 channels by separating Rs/d and Rch, based on the transfer length method. Using the proposed methodology, we obtained a high μFEi (>100 cm2 Vs−1) from TFT. | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Applied Physics Express 巻 18, 号 1, 発行日 2025-01-06 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | IOP Publishing | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1882-0786 | |||||||||||||||||
| 出版者版DOI | ||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isReplacedBy | |||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.35848/1882-0786/ada19e | |||||||||||||||||
| 出版者版URI | ||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isReplacedBy | |||||||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ada19e/meta | |||||||||||||||||
| 権利 | ||||||||||||||||||
| 権利情報Resource | https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ | |||||||||||||||||
| 権利情報 | © 2025 The Author(s). Content from this work may be used under the terms of the Creative Commons Attribution 4.0 license. | |||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||||||||||
| 助成情報 | ||||||||||||||||||
| 助成機関名 | Japan Science and Technology Agency (JST) | |||||||||||||||||
| 研究課題番号 | JPMJCR23A3 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号URI | https://projectdb.jst.go.jp/grant/JST-PROJECT-23830112/ | |||||||||||||||||
| 研究課題名 | 三次元集積メモリデバイスに向けたナノシート酸化物半導体 | |||||||||||||||||
| 助成情報 | ||||||||||||||||||
| 助成機関名 | Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) | |||||||||||||||||
| 研究課題番号 | 23K23226 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号URI | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23K23226/ | |||||||||||||||||
| 研究課題名 | 高性能三次元素子を目指したALD法による金属酸化物半導体の薄膜形成技術の研究 | |||||||||||||||||
| 助成情報 | ||||||||||||||||||
| 助成機関名 | Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) | |||||||||||||||||
| 研究課題番号 | 23K19123 | |||||||||||||||||
| 研究課題番号URI | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23K19123/ | |||||||||||||||||
| 研究課題名 | 原子層プロセスによる結晶性酸化物半導体の高品位な合成と集積デバイス応用 | |||||||||||||||||
