| アイテムタイプ |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2025-08-07 |
| タイトル |
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タイトル |
Conductivity Enhancement of PVD-WS2 Films Using Cl2-Plasma Treatment Followed by Sulfur-Vapor Annealing |
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言語 |
eng |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Resistance |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Sulfur |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Plasmas |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Electrical resistance measurement |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Doping |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Annealing |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Transition metal compounds |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Magnetrons |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Transition-metal di-chalcogenide (TMDC) |
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Other |
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主題 |
tungsten disulfide (WS2) |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ultra-high-vacuum (UHV) radio-frequency (RF) magnetron sputtering |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
chlorine (Cl2) plasma treatment |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
sulfur-vapor annealing (SVA) |
| 資源タイプ |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
open access |
| 著者 |
Kurohara, Keita
Imai, Shinya
Hamada, Takuya
Tatsumi, Tetsuya
冨谷, 茂隆
Kakushima, Kuniyuki
Tsutsui, Kazuo
Wakabayashi, Hitoshi
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The conductivity of tungsten disulfide (WS2) films using sputtering, which is a physical vapor deposition (PVD), was enhanced using a chlorine (Cl2)-plasma treatment and sulfur-vapor annealing (SVA). For WS2 films to be used in thermoelectric devices, its carrier concentration must be controlled. Therefore, we exposed WS2 films to Cl2-plasma as a doping method. In addition, SVA was performed to improve the crystallinity of the film and potentially introduce activating dopants. Consequently, the conductivity of the Cl2-plasma-treated PVD-WS2 films (0.440 S/m) more than doubled compared with that of an untreated PVD-WS2 film (0.201 S/m). The doping type in this experiment is considered to be n-type on the basis of a positive peak shift observed in the X-ray photoelectron spectra. |
| 書誌情報 |
en : IEEE Journal of the Electron Devices Society
巻 12,
p. 390-398,
ページ数 9,
発行日 2024-03-18
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| 出版者 |
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出版者 |
Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
EISSN |
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収録物識別子 |
2168-6734 |
| 出版者版DOI |
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関連タイプ |
isReplacedBy |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
https://doi.org/10.1109/JEDS.2024.3378745 |
| 出版者版URI |
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関連タイプ |
isReplacedBy |
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識別子タイプ |
URI |
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関連識別子 |
https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/10475166 |
| 権利 |
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権利情報Resource |
https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
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権利情報 |
$00A9 2024 The Authors. This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License. For more information, see https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
NA |
| 助成情報 |
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助成機関名 |
Sony Group Corporation |
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研究課題名 |
Collaborative Research Chair/Division Program |
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助成機関名 |
Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology (MEXT) |
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研究課題番号 |
JPJ011438 |
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研究課題名 |
MEXT Initiative to Establish Next-Generation Novel Integrated Circuits Centers (X-NICS) |
| 助成情報 |
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助成機関名 |
Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) |
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研究課題番号 |
20H05880 |
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研究課題番号URI |
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PLANNED-20H05880/ |
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研究課題名 |
社会実装に向けた超秩序構造物質ライブラリーに基づく合成プロセス開発 |
| 助成情報 |
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助成機関名 |
Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) |
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研究課題番号 |
22K04181 |
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研究課題番号URI |
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22K04181/ |
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研究課題名 |
遷移金属ダイカルコゲナイド薄膜の成膜機構と熱電変換特性因子の解明 |
