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  1. 04 物質創成科学
  2. 01 学術雑誌論文

Effect of Average Grain Size on the Uniformity and Ferroelectricity of BTO/PSX Thin Films Processed by Low-Temperature Solution Method

http://hdl.handle.net/10061/0002000779
http://hdl.handle.net/10061/0002000779
b3aa3322-0485-4971-b62e-f1ba96028384
アイテムタイプ 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2025-02-17
タイトル
タイトル Effect of Average Grain Size on the Uniformity and Ferroelectricity of BTO/PSX Thin Films Processed by Low-Temperature Solution Method
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 Circuits
キーワード
主題Scheme Other
主題 Layers
キーワード
主題Scheme Other
主題 Nanoparticles
キーワード
主題Scheme Other
主題 Polarization
キーワード
主題Scheme Other
主題 Transistors
資源タイプ
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
著者 Wu, Chuanjun

× Wu, Chuanjun

en Wu, Chuanjun

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Bermundo, Juan Paolo

× Bermundo, Juan Paolo

WEKO 35606

en Bermundo, Juan Paolo

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Safaruddin, Aimi Syairah

× Safaruddin, Aimi Syairah

en Safaruddin, Aimi Syairah

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Yamamoto, Atsuko

× Yamamoto, Atsuko

en Yamamoto, Atsuko

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浦岡, 行治

× 浦岡, 行治

WEKO 207
e-Rad_Researcher 20314536

ja 浦岡, 行治

ja-Kana ウラオカ, ユキハル

en Uraoka, Yukiharu

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 In this study, we utilized 50 nm BaTiO3 (BTO) nanoparticles and polysiloxane (PSX) with a higher concentration of methyl and silica groups to fabricate insulating layers at a low curing temperature of 100 °C using a solution-based method. This approach aims to enhance film uniformity while retaining the ferroelectric properties. Consequently, we maintained a minimal leakage current in thin-film transistors (TFTs) while achieving transfer characteristics characterized by a distinct hysteresis. Moreover, we verified the presence of ferroelectricity in 50 nm BTO nanoparticles. Compared with prior research, we confirm that decreasing nanoparticle size effectively reduces film roughness but also leads to a reduction in polarization intensity due to smaller diameter BTO nanoparticles. Additionally, a higher proportion of methyl and silica groups effectively lowers the curing temperature of PSX. At the same time, the hydrogen ions released in the polycondensation reaction can also effectively suppress the oxygen vacancies at the interface between dielectric and channel layers, improving the TFT electrical characteristics.
書誌情報 en : ACS Omega

巻 9, 号 32, p. 34735-34742, 発行日 2024-08-13
出版者
出版者 American Chemical Society
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 2470-1343
出版者版DOI
関連タイプ isReplacedBy
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1021/acsomega.4c03922
出版者版URI
関連タイプ isReplacedBy
識別子タイプ URI
関連識別子 https://testpubschina.acs.org/doi/10.1021/acsomega.4c03922
権利
権利情報Resource https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
権利情報 $00A9 2024 The Authors. Published by American Chemical Society. This publication is licensed under CC-BY-NC-ND 4.0 .
著者版フラグ
出版タイプ NA
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Ver.1 2025-02-17 05:17:21.865880
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