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  1. 04 物質創成科学
  2. 01 学術雑誌論文

Effects of Oxygen on Lattice Defects in Single-Crystalline Mg2Si Thermoelectrics

http://hdl.handle.net/10061/0002000192
http://hdl.handle.net/10061/0002000192
9ec0824e-cb1c-498d-86d3-b8343472b27b
アイテムタイプ 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2024-03-29
タイトル
タイトル Effects of Oxygen on Lattice Defects in Single-Crystalline Mg2Si Thermoelectrics
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 Mg2Si single crystals
キーワード
主題Scheme Other
主題 lattice defects
キーワード
主題Scheme Other
主題 electronic structure calculations
キーワード
主題Scheme Other
主題 photoelectron holography
資源タイプ
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 open access
著者 Hayashi, Kei

× Hayashi, Kei

en Hayashi, Kei

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Kawamura, Sota

× Kawamura, Sota

en Kawamura, Sota

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橋本, 由介

× 橋本, 由介

WEKO 35589

ja 橋本, 由介

ja-Kana ハシモト, ユウスケ

en Hashimoto, Yusuke

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Akao, Noboru

× Akao, Noboru

en Akao, Noboru

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Huang, Zhicheng

× Huang, Zhicheng

en Huang, Zhicheng

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Saito, Wataru

× Saito, Wataru

en Saito, Wataru

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Tasaki, Kaichi

× Tasaki, Kaichi

en Tasaki, Kaichi

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Hayashi, Koichi

× Hayashi, Koichi

en Hayashi, Koichi

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松下, 智裕

× 松下, 智裕

WEKO 194
e-Rad_Researcher 10373523

ja 松下, 智裕

ja-Kana マツシタ, トモヒロ

en Matsushita, Tomohiro

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Miyazaki, Yuzuru

× Miyazaki, Yuzuru

en Miyazaki, Yuzuru

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Lattice defect engineering has attracted attention due to its ability to develop thermoelectric materials with low thermal conductivity. For Mg2Si single crystals (SCs), Si vacancy (VSi) defects can be introduced and consequently result in the formation of dislocation cores. These lattice defects confer Mg2Si SCs with a lower thermal conductivity compared to Mg2Si polycrystals. To reveal a mechanism for the stabilisation of VSi in the Mg2Si SCs, we investigated the effects of oxygen (O) on lattice defects by performing electronic structure calculations, secondary ion mass spectrometry, X-ray photoelectron spectroscopy, and photoelectron holography. On the basis of these calculations, we predicted that O stabilised the formation of VSi when it was located at the Si site or at an interstitial site. All experiments confirmed the presence of O inside the Mg2Si SCs. However, O was suggested to be located not at the specific site in the crystal lattice of Mg2Si but at dislocation cores. The interaction between O and the dislocation cores in the Mg2Si SC is expected to immobilise dislocation cores, leading to the stabilisation of VSi formation.
書誌情報 en : Nanomaterials

巻 13, 号 7, 発行日 2023-03-30
出版者
出版者 MDPI
ISSN
収録物識別子タイプ EISSN
収録物識別子 2079-4991
出版者版DOI
関連タイプ isReplacedBy
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.3390/nano13071222
出版者版URI
関連タイプ isReplacedBy
識別子タイプ URI
関連識別子 https://www.mdpi.com/2079-4991/13/7/1222
権利
権利情報Resource https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
権利情報 $00A9 2023 by the authors. Licensee MDPI, Basel, Switzerland. This article is an open access article distributed under the terms and conditions of the Creative Commons Attribution (CC BY) license (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/).
著者版フラグ
出版タイプ NA
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Ver.1 2024-03-29 12:26:43.581719
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