WEKO3
アイテム
Development of top-gate oxide semiconductor thin film transistor and degradation analysis under negative bias stress and light irradiation
http://hdl.handle.net/10061/0002000021
http://hdl.handle.net/10061/000200002111fe6a5c-4ed1-4311-aeb8-badc9a5ad41b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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abstract (94 Kb)
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summary (115 KB)
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| アイテムタイプ | 学位論文（博士論文） / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2023-10-11 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Development of top-gate oxide semiconductor thin film transistor and degradation analysis under negative bias stress and light irradiation | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||||
| その他のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | トップゲート型酸化物半導体薄膜トランジスタ開発及び光誘起信頼性劣化メカニズム分析 | |||||||||
| その他のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | トップゲートガタ サンカブツ ハンドウタイ ハクマク トランジスタ カイハツ オヨビ ヒカリ ユウキ シンライセイ レッカ メカニズム ブンセキ | |||||||||
| 著者 |
武田, 悠二郎
× 武田, 悠二郎
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| 書誌情報 |
発行日 2023-09-30 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | Nara institute of Science and Technology | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 学位名 | ||||||||||
| 学位名 | 博士（工学） | |||||||||
| 学位授与機関名 | ||||||||||
| 学位授与機関名 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||||
| 学位授与年月日 | 2023-09-30 | |||||||||
| 学位授与番号 | ||||||||||
| 学位授与番号 | 甲第2009号 | |||||||||
| 電子化ID | ||||||||||
| 値 | R018555 | |||||||||
| 電子化ID | ||||||||||
| 値 | R018568 | |||||||||
