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異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 : 平成23年度実績報告書
http://hdl.handle.net/10061/9011
http://hdl.handle.net/10061/9011bc70d22c-d6de-4b4d-b924-55dbe49e3f57
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (35.7 kB)
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| アイテムタイプ | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2013-09-02 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 異種原子導入によるSiC/絶縁膜界面欠陥の消滅とパワーMOSFETの革新 : 平成23年度実績報告書 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | イシュ ゲンシ ドウニュウ ニ ヨル SiC ゼツエンマク カイメン ケッカン ノ ショウメツ ト パワー MOSFET ノ カクシン | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 炭化珪素 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 界面準位 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| 著者 |
矢野, 裕司
× 矢野, 裕司 |
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| 書誌情報 |
発行日 2012 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 科研費番号 | ||||||
| 値 | 23760283 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R010477 | |||||
