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ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明 : 平成22年度実績報告書
http://hdl.handle.net/10061/6607
http://hdl.handle.net/10061/660795e80f81-a1dc-498d-83b8-b7f321008928
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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fulltext (163.4 kB)
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| アイテムタイプ | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2011-10-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ワイドギャップ半導体SiCを用いたMOS構造における界面電子物性の解明 : 平成22年度実績報告書 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | ワイド ギャップ ハンドウタイ SiC オ モチイタ MOS コウゾウ ニオケル カイメン デンシ ブッセイ ノ カイメイ | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | シリコンカーバイド | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOS界面 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | チャネル移動度 | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | 酸化膜トラップ | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | MOSFET | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | open access | |||||
| 著者 |
岡本, 大
× 岡本, 大 |
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| 書誌情報 |
発行日 2011 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 奈良先端科学技術大学院大学 | |||||
| 科研費番号 | ||||||
| 値 | 09J10165 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 電子化ID | ||||||
| 値 | R008887 | |||||
