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  1. 01 大学
  2. 08 科研費報告書

同一ポリタイプ4H-AIN/4H-SiCへテロ界面の電子デバイス応用に関する研究 : 平成22年度実績報告書

http://hdl.handle.net/10061/6429
http://hdl.handle.net/10061/6429
d460dc76-80f0-4a35-b874-572aa81cb3cc
名前 / ファイル ライセンス アクション
R008694.pdf fulltext (143.6 kB)
アイテムタイプ 研究報告書 / Research Paper(1)
公開日 2011-10-12
タイトル
タイトル 同一ポリタイプ4H-AIN/4H-SiCへテロ界面の電子デバイス応用に関する研究 : 平成22年度実績報告書
タイトル
タイトル ドウイツ ポリタイプ 4H-AIN
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 ヘテロ接合デバイス
キーワード
主題Scheme Other
主題 シリコンカーバイド
キーワード
主題Scheme Other
主題 窒化アルミニウム
キーワード
主題Scheme Other
主題 結晶成長
資源タイプ
資源タイプ research report
アクセス権
アクセス権 open access
著者 堀田, 昌宏

× 堀田, 昌宏

WEKO 313
e-Rad 50549988

ja 堀田, 昌宏

ja-Kana ホリタ, マサヒロ

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書誌情報
発行日 2011
出版者
出版者 奈良先端科学技術大学院大学
科研費番号
値 21860060
著者版フラグ
出版タイプ VoR
電子化ID
値 R008694
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Ver.1 2023-07-25 15:09:03.954321
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